Průběžná zpráva II

Po, 2009-03-02 11:45, Jiri M. Fuchs

V průběhu řešení došlo k transformaci firmy Reflex, s.r.o. na Rigaku Innovative Technologies Europe (RITE). Projekt byl zahájen v r.2007 a jeho předpokládaný konec je v r.2010. Dosud čerpáno 20% rozpočtu (celkový rozpočet 368.000 €).

Abstrakt:

Ve zprávě za rok 2008 jsou prezentovány výsledky získané během druhého roku řešení projektu ESA PECS „Inovační technologie pro rentgenovou optiku pro rentgenové astronomické projekty ESA“. Úkoly vymezené pro druhý rok řešení projektu byly splněny. Dosažené výsledky byly a budou publikovány v mezinárodní odborné literatuře a předneseny na mezinárodních workshopech a konferencích.

Zpráva o stavu projektu:

Ve zprávě jsou uvedeny výsledky z druhého roku řešení ESA PECS projektu „Inovační technologie pro rentgenovou optiku pro rentgenové astronomické projekty ESA“. Úkoly na druhý rok byly úspěšně dokončeny. Dosažené výsledky byly a budou publikovány v mezinárodní odborné literatuře a předneseny na mezinárodních workshopech a konferencích. Ramanova spektroskopie byla použita jako velmi rychlá a vhodná metoda pro měření vnitřního stresu . Touto metodou byly měřeny a srovnávány standardních Si desky, Si desky s vylepšenou rovinností (ve srovnání se standardními Si deskami) a tenčí vzorky (ve srovnání se standardními Si deskami). Kromě toho bylo studováno zbytkové pnutí v tenkých vrstvách, protože je to jeden z důležitých parametrů pro tento projekt. Standardní Si deska je kulatá, ale pro naši aplikace je nutné připravit čtvercové substráty (Si chipy). Technologie řezání Si desek, která umožní připravit Si chipy bez okrajových defektů, je velice kritická pro další pokračování tohoto projektu. Najít takovouto technologie není snadné, protože Si desky jsou monokrystalické, a proto je odštípnutí okraje při řezání snadné. Dalším problém je mikrodrsnost povrchu. Cílem tohoto úkolu bylo i zachovat mikrodrsnost stejnou před řezání i po něm. Podařilo se najít technologii řezání, která umožňuje připravit Si chipy s minimálními okrajovými defekty a přitom zachovat mikrodrsnost povrchu. Byla ověřena a otestována jedna z metod tvarování Si desek. Předběžné výsledky jsou dobré a následujícím roce se bude pokračovat v testování dalších tvarovacích technologií. Pokud se podaří najít vhodnou metodu, bude sestaven první testovací modul.